图尔克传感器与其他传感器工作介质不同

图尔克传感器是根据半导体材料的压阻效应通过半导体材料的基板上的扩散电阻制造的器件。基板可以直接用作测量传感器元件，并且扩散电阻器以基板中的桥的形式连接。当基板通过外力变形时，电阻值将改变，

并且电桥将产生相应的不平衡输出。

用作压阻传感器的基板（或隔膜）主要是硅和锗。以硅片为敏感材料的硅压阻传感器受到越来越多的关注。特别是在固态压阻式压力和速度传感器中，zui得到了广泛的应用。

热电阻传感器

热电阻温度测量是基于金属导体电阻值随温度升高而增大的特性。传感器

大多数热阻由纯金属材料制成。目前，许多应用由铂和铜制成。此外，已经使用诸如镍，锰和钽的材料制造了热阻。

热阻传感器主要利用电阻随温度变化的特性来测量温度和温度相关参数。这种传感器适用于温度检测精度高的场合。铂、铜和镍被广泛用作热电阻材料。它们具有电阻温度系数高、线性好、性能稳定、温度范围宽、易于加工等特点。

可用于-200~500℃范围内的温度测量。

图尔克传感器有一个更突出的位置。现代科学技术的发展已经进入了许多新的领域，如宏观观察宇宙数千光年，微观观察象调频那样小的粒子世界，几十万年来观察天体的演化。T垂直水平，瞬时响应短至S，同时出现了各种极端技术，

如超高温、超低温、超高压、超高真空、超强磁场、超弱磁场等，起到了重要作用。对深化物质认识，开发新能源、新材料具有重要作用。显然，如果没有合适的传感器，很难获得人类感官无法直接获得的大量信息。

基础科学研究的许多障碍在于获取目标信息的困难。一些新机制和高灵敏度检测传感器的出现，往往导致这一领域的突破。一些传感器的发展往往是一些前沿学科发展的先驱。

图尔克传感器中的电阻应变计具有金属的应变效应，即在外力作用下的机械变形，因此电阻值相应地改变。有两种类型的电阻应变计：金属和半导体。金属应变计有金属丝，箔和薄膜两种。半导体应变计具有高灵敏度（通常为丝和箔的数十倍）

和较小的横向效应的优点。

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